Growth of Pure Zinc-Blende GaAs(P) Core-Shell Nanowires

主 讲 人 ：Suguo Huo    研究员

活动时间：08月16日09时30分    

地      点 ：理科群2号楼A-302室

讲座内容：

UCL & LCN overview;   SEM&TEM study of  GaAs(P) Core NWs with droplet and with droplet consumed ;   SEM&TEM study of GaAs(P) Core -Shell Nanowire; MEB Growth, SEM&TEM study of GaAs(P) Core- Shell ZB structure Nanowire with Be dopant in Shell; Photoluminescence Study of GaAsP Core- Shell NWs.  

主讲人介绍：

霍素国, 博士，英国University college London大学纳米中心研究员。曾先后在英国希捷公司、布里斯托大学从事计算机硬盘及磁记录薄膜材料的研究，之后进入伦敦大学学院从事纳米磁性材料的研究。在纳米材料结构表征、磁学及磁记录材料的实验与理论研究等方面取得了引人注目的成绩。

发布时间：2017-08-14 20:03:12